学习+ 分享
掌握科技改变生活

三星SSD 850EVO图片_参数_评测

三星在T5便携式固态硬盘上使用新型的64层3D V-NAND ,但是这款850在专为台式PC设计的驱动器上首次亮相。三星声称其64层TLC V-NAND比前几代更快,更可靠,所以公司正在全面改革其产品组合,因为它将最新的闪存推向市场。

三星 SSD 850

三星新推出的64层V-NAND在垂直结构中每个单元存储三位,通常被称为3D TLC NAND。每个256Gbit芯片大约有853亿个单元。新模具与三星上一代48层NAND具有相同的256Gbit容量,但具有更小的裸片,这意味着它将更多的数据打包到更小的空间中。这导致成本降低。

产品规格
三星850(120GB)
DRAM256 MB LPDDR3
NAND三星64层3位MLC(TLC)V-NAND
Random Read70,000 IOPS
Random Write88,000 IOPS
写入速度520 MB / s
读取速度540 MB / s
产品编号MZ-7LN120BW
容量/初始128GB / 120GB
尺寸2.5英寸7毫米
接口协议SATA 6Gbps / AHCI
调节器三星MGX
质保3年
京东购买

三星的网站只列出了120GB的型号,而我们的经销商只能使用这个容量。根据三星中文网站上的规格,新款850采用850 EVO系列的MGX控制器,但我们怀疑可能会有固件升级。850和​​850 EVO具有相同的540/520 MB / s连续读/写规格。与EVO的94,000 IOPS相比,850的随机读取性能略低于70,000 IOPS。这两款型号拥有相同的“高达”88000随机写入IOPS评级。

我们预计512GB是具有新型高密度64层3D NAND的固态硬盘的最低容量,但闪存短缺阻碍了进展并导致价格暴涨。不过,这不是我们放弃这个能力班的唯一原因。我们测试过的产品的性能也很低。同时,应用程序的规模也在增长。相当数量的现代PC游戏消耗高达100GB,所以我们不得不画出合理的可用存储容量。

三星SSD 850EVO外观 图片

三星SSD 850 120GB外观

三星SSD 850 120GB外观

三星SSD 850 120GB外观

三星SSD 850EVO内部结构

三星SSD 850EVO内部结构

三星SSD 850EVO内部结构

三星SSD 850EVO内部结构

三星SSD 850EVO内部结构

三星设法将所有三个主要组件都安装在PCB的一面。三星网站列出的控制器为MGX,与850 EVO相同。该驱动器不像750 EVO那样使用PoP(封装式封装)技术。该技术将控制器和DRAM在同一封装中融合在一起,但是这增加了设计的额外成本。

转载请注明来源:前沿网 » 三星SSD 850EVO图片_参数_评测

评论 抢沙发

  • 昵称 (必填)
  • 邮箱 (必填)
  • 网址